太陽光発電用のN型単結晶シリコンウェーハとP型単結晶シリコンウェーハの主な違い
太陽光発電用のN型単結晶シリコンウェーハとP型単結晶シリコンウェーハの主な違い
単結晶シリコンウェーハは、導電性が弱い準金属の物理的性質を持ち、温度が上昇すると導電性が増加します。また、重要な半導体特性も備えています。超高純度の単結晶シリコンウェハに少量のホウ素をドープすることにより、導電率を高めて P 型シリコン半導体を形成できます。同様に、少量のリンまたはヒ素をドーピングすると導電性が向上し、N 型シリコン半導体が形成されます。では、P 型シリコンウェーハと N 型シリコンウェーハの違いは何でしょうか?
P 型単結晶シリコンウェーハと N 型単結晶シリコンウェーハの主な違いは次のとおりです。
ドーパント: 単結晶シリコンでは、リンをドーピングすると N 型になり、ボロンをドーピングすると P 型になります。
導電性: N 型は電子伝導性、P 型はホール伝導性です。
性能: N 型にドープされるリンが増えるほど、自由電子が増え、導電性が強くなり、抵抗率が低くなります。 P 型にドープされるホウ素の量が増えるほど、シリコンの置換によってより多くの正孔が生成され、導電性が強くなり、抵抗率が低くなります。
現在、太陽光発電業界では P 型シリコンウェーハが主流の製品です。 P 型シリコン ウェーハは製造が簡単で、コストが低くなります。 N型シリコンウェーハは通常、少数キャリアの寿命が長く、太陽電池の効率を高くすることができますが、プロセスはより複雑です。 N型シリコンウェーハには、シリコンとの溶解度が低いリンがドープされています。ロッドの引き抜き中、リンは均一に分布しません。 P 型シリコンウェーハには、シリコンと同様の偏析係数を持つボロンがドープされており、分散の均一性の制御が容易です。